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Qingdao JZLEAP Semiconductor Co.,Ltd.

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  • ISO9001

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14.08.2024 10:20

6 Zoll n-Typ 4H Siliziumkarbid-Substrat

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Das Substrat ist das Grundmaterial aller Halbleiterchips und spielt die Rolle des physikalischen Trägers, der thermischen Leitfähigkeit und der elektrischen Leitfähigkeit.

Laut der jüngsten Umfrage von TrendForce Tiburon Consulting wird erwartet, dass aufgrund der steigenden Beliebtheit von Elektrofahrzeugen und des Trends zu 800-V-Hochspannungs-Elektrofahrzeug-Architekturen die weltweite Nachfrage auf dem Automobilmarkt nach leitfähigen 6-Zoll-SiC-Substraten im Jahr 2025 1,69 Millionen Stück erreichen wird. Die vorgelagerte Versorgung mit SiC-Substratmaterialien wird aufgrund des komplexen Herstellungsprozesses, der hohen technologischen Eintrittsbarriere und des langsamen Wachstums von SiC-Substraten der Hauptengpass bei der Produktion von SiC-Leistungsbauteilen sein. Die meisten n-Typ-SiC-Substrate für Leistungshalbleitergeräte haben einen Durchmesser von 6 Zoll.


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Rubrik
Angebote

Land
China

Region
SHANDONG

Standort
QINGDAO

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